MOS屬于電壓控制型器件，但是實(shí)際上MOS管在從關(guān)斷到導(dǎo)通的過(guò)程中也是需要電流的，因?yàn)镸OS管各極之間存在寄生電容Cgd，Cgs以及Cds。
MOS管的導(dǎo)通條件，是Vgs電壓至少需要達(dá)到閾值電壓Vgs(th)，它通過(guò)柵極電荷對(duì)Cgs電容進(jìn)行充電。當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通后就不需要提供電流了。
mos管開啟條件
MOS管的開啟條件取決于其溝道類型（N溝道或P溝道）以及是增強(qiáng)型還是耗盡型。
對(duì)于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，開啟條件是漏源電壓（Vds）大于開啟電壓（Vgs(th)），同時(shí)柵源電壓（Vgs）也大于開啟電壓（Vgs(th)）。
對(duì)于N溝道耗盡型MOSFET，開啟條件是漏源電壓（Vds）大于開啟電壓（Vgs(th)），而柵源電壓（Vgs）需要小于開啟電壓（Vgs(th)）。
對(duì)于P溝道增強(qiáng)型MOSFET，開啟條件是漏源電壓（Vds）小于開啟電壓（Vgs(th)），同時(shí)柵源電壓（Vgs）也小于開啟電壓（Vgs(th)）。
對(duì)于P溝道耗盡型MOSFET，開啟條件是漏源電壓（Vds）小于開啟電壓（Vgs(th)），而柵源電壓（Vgs）需要大于開啟電壓（Vgs(th)）。
在開啟過(guò)程中，MOS管會(huì)經(jīng)歷不同的階段，包括驅(qū)動(dòng)開通脈沖通過(guò)MOS管的柵-源極對(duì)輸入電容（Cgs）充電，當(dāng)Vgs電壓達(dá)到閾值電壓（Vth）時(shí)，電流ID開始流過(guò)漏極，并且Vds電壓保持不變。
隨著Vgs電壓的進(jìn)一步上升，電流ID也逐漸增加，直到達(dá)到負(fù)載電流的最大值ID。在這個(gè)過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)一個(gè)稱為米勒平臺(tái)（Miller plateau）的階段，在這個(gè)階段，電流ID保持負(fù)載ID不變，而Vds電壓開始下降。當(dāng)米勒平臺(tái)結(jié)束時(shí)，可以認(rèn)為MOS管基本已經(jīng)導(dǎo)通。
n溝道m(xù)os管開啟條件
閥值電壓：當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)，N溝道MOS管會(huì)導(dǎo)通。
高電平有效：在數(shù)字電路中，當(dāng)Vgs大于或等于Vth時(shí)，MOS管導(dǎo)通，這通常意味著高電平有效。
正向偏置電壓：在增強(qiáng)型N溝道MOS管中，只有當(dāng)Vgs大于2.5V時(shí)，即Vg（柵極電壓）—Vs（源極電壓）大于2.5V時(shí)，D極和S極之間才會(huì)導(dǎo)通。
以上條件可能會(huì)根據(jù)MOS管規(guī)格書（datasheet）有所變化，實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)參考具體規(guī)格來(lái)確定其開啟條件。
p溝道m(xù)os管開啟條件
柵極電壓：需要柵極電壓為正且足夠大，通常需要大于閾值電壓(Vth)，以形成導(dǎo)電溝道。
漏極電壓：需要漏極電壓為正，當(dāng)漏極電壓為正時(shí)，有利于導(dǎo)電溝道的形成。
源極電壓：需要源極電壓為負(fù)或接地，當(dāng)源極電壓為負(fù)或接地時(shí)，電子可以從源極流向漏極，形成電流。
負(fù)載電阻：還需要考慮負(fù)載電阻的影響，當(dāng)負(fù)載電阻較大時(shí)，可能需要更高的柵極電壓來(lái)維持導(dǎo)電溝道的形成。
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